Popis
Technické parametry
Popis produktu
Parametr produktu
|
Parametr
|
||||
|
Typ
|
CFBS-H01-UB/CFBS-H01-DB
|
|||
|
Testovací standardy
|
IEC60269-4
|
|||
|
Jmenovité napětí Ue
|
1000V DC
|
|||
|
Jmenovitá vypínací kapacita
|
50 kA
|
|||
|
Jmenovitý proud
|
50-315A
|
|||
|
Časová konstanta
|
1-15 ms
|
|||
|
Provozní třída
|
aR
|
|||
|
Země původu
|
Čína
|
|||
Výrobní technika
Certifikace
Profil společnosti
Výstava
IV. Budoucí-proofingové energetické systémy: vznikající inovace
1. Široká-kompatibilita bandgap Semiconductor
Pojistky nové{0}}geny řeší jedinečné požadavky SiC/GaN zařízení:
Higher di/dt tolerance: Asymmetric element designs handle switch speeds >100 kV/μs v 1200V SiC MOSFETech.
Ultra-nízký I²t: Hodnoty menší nebo rovné 5 000 A² chrání HEMT GaN v 10MHz RF výkonových zesilovačích.
